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制备了人工opal晶体模板,运用mocvd方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的Inp晶体,选择了mocvd生长Inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
叉的位错线是呈现黑色的，可以推断晶格不匹配增加，iqe下降。虽然gaas和Inp中晶格匹配和iqe显示很强的关系，但是gan中这种关系却不明显，这主要是gan中位错的电学活性很
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
质外延技术,如在硅片 上外延gaas和Inp等,不仅成本较高,而且结合介面的位元错密度也非常高,很难形成高品质的光电子集成器件。由于低温键合技术可以大大减少不同材料之间的热失配问
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了Inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在Inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
d的cin，每个电容都要尽可能靠近ic放置。这种情况下，pin和pgnd应该分别接到系统电源和地层，而in和gnd则就近连接。pcb电源线首先进入cInp和Inp，然后通过一些过孔连
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230353.html2011/7/20 0:24:00
体材料、第二代gaas、Inp化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
层，而in和gnd则就近连接。pcb电源线首先进入cInp和Inp，然后通过一些过孔连接到cin和in，在in端提供一定的输入噪声滤波。pgnd和gnd应该通过裸露焊盘连接在一
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134115.html2011/2/20 22:53:00
功蓝光发光二极管的中村修二。 中村在进入该公司后一直在开发金属ga、Inp、gaas、gaalas等单结晶材料及多结晶材料。为了节约经费,从设备到部件加工的整个过程均由中村一人完
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40239.html2010/4/14 22:49:00
