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相的LPE(液相生长)法
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51
今天来探讨led外延片的成长工艺，早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片
https://www.alighting.cn/news/20080703/91561.htm2008/7/3 0:00:00
外延片生长是指：在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128112.htm2010/12/31 10:57:06
在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的LPE(液
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128309.htm2010/8/17 17:35:44
片涨价!!!我从事led芯片工作约有十七八年的光景，1998年负责上海晶田电子(当时有vpe和LPE，已是先烈)，1999年担当上海金桥大晨(国内第一个高亮度红光芯片)，从几十元/
https://www.alighting.cn/news/20160901/143780.htm2016/9/1 9:28:02
概是一个直径六到八公分宽的圆形，厚度相当薄，就像是一个平面金属一样。常见的外延方法有液相外延法（LPE）、气相外延法（vpe）以及金属有机化学汽相沉积（mocvd）等，其中vp
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34482.html2010/2/27 14:29:00
晶： 砷化鎵磊晶依制程的不同，可分为LPE(液相磊晶)、mocvd(有机金属气相磊晶)及mbe(分子束磊晶)。LPE的技术较低，主要用于一般的发光二极体，而mbe的技术层次较高，容
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
线light emitting diode。主要以gaas系列材料发展为主,通常以LPE液相磊晶法的方法制作,发光波长从850~940不等。gap磷化镓。磷化镓,是ⅲ-ⅴ族(三五族)元
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
伸长出的高纯度硅元素晶柱 (crystal ingot)上,所切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。磊晶：砷化??磊晶依制程的不同,可分为LPE(液相磊晶)、mocvd(有机金属气相
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
量生产 gaas0.60p0.40/gaas的红色led。 1997年美国光学学会为表彰holonyak 的功绩设立holonyak奖。 1975年前后液相外延生长lp
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
