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伸长出的高纯度硅元素晶柱 (crystal ingot)上,所切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。磊晶：砷化??磊晶依制程的不同,可分为LPE(液相磊晶)、mocvd(有机金属气相

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

线light emitting diode。主要以gaas系列材料发展为主,通常以LPE液相磊晶法的方法制作,发光波长从850~940不等。gap磷化镓。磷化镓,是ⅲ-ⅴ族(三五族)元

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00

氧树脂, 导线架等磊晶( mocvd / mbe / LPE / vpe )晶粒产品( 扩散/ 金属蒸镀/ 蚀刻/ 热处理/ 切割)封装( 焊线/ 封胶/ 电镀), 测试( 环境

http://blog.alighting.cn/wanshengzhanlan/archive/2011/7/5/228639.html2011/7/5 16:08:00

粒(chip)? 制程设备及材料：基板, 单晶棒, 荧光粉, 环氧树脂, 导线架等? 磊晶( mocvd / mbe / LPE / vpe )、晶粒产品( 扩散/ 金属蒸镀/ 蚀刻

http://blog.alighting.cn/sales7/archive/2011/6/20/222126.html2011/6/20 9:25:00

r), 晶粒(chip) ◙ 制程设备及材料：基板, 单晶棒, 荧光粉, 环氧树脂, 导线架等 ◙ 磊晶( mocvd / mbe / LPE / vpe )、晶粒产品( 扩散

http://blog.alighting.cn/sumei125/archive/2011/5/18/179280.html2011/5/18 14:36:00

片(epi wafer), 晶粒(chip)制程设备及材料:基板, 单晶棒, 荧光粉, 环氧树脂, 导线架等磊晶( mocvd / mbe / LPE / vpe )、晶粒产

http://blog.alighting.cn/zhuli562898/archive/2011/5/17/179029.html2011/5/17 15:19:00

晶：砷化鎵磊晶依制程的不同，可分为LPE(液相磊晶)、mocvd(有机金属气相磊晶)及mbe(分子束磊晶)。LPE的技术较低，主要用于一般的发光二极体，而mbe的技术层次较高，容

http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00

片(epi wafer), 晶粒(chip)制程设备及材料基板, 单晶棒, 萤光粉, 环氧树脂, 导线架等磊晶( mocvd / mbe / LPE / vpe )晶粒产品( 扩散

http://blog.alighting.cn/wanshengexpo/archive/2010/6/2/47547.html2010/6/2 16:22:00

概是一个直径六到八公分宽的圆形，厚度相当薄，就像是一个平面金属一样。常见的外延方法有液相外延法（LPE）、气相外延法（vpe）以及金属有机化学汽相沉积（mocvd）等，其中vp

http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34482.html2010/2/27 14:29:00

量生产 gaas0.60p0.40/gaas的红色led。 1997年美国光学学会为表彰holonyak 的功绩设立holonyak奖。 1975年前后液相外延生长lp

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