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科锐(nasdaq: cree)旗下wolfspeed于近日宣布推出e-系列碳化硅(SiC)半导体器件。这一新型产品家族针对电动汽车ev和可再生能源市场，能够为车载汽车功率转换系
https://www.alighting.cn/pingce/20180810/157984.htm2018/8/10 9:40:09
迪思科(disco)开发出了利用激光从SiC铸锭上切割SiC晶圆的新工艺“kabra”。与使用线锯的传统方法相比，生产SiC晶圆的加工时间大约可以缩短到1/4，产量大约可以增加到
https://www.alighting.cn/pingce/20160816/142890.htm2016/8/16 10:09:39
科锐在继今年5月份推出全SiC 1.2kv半桥式功率模块之后，宣布推出业界首款全SiC 1.7kv功率模块，采用业界标准62mm封装，继续保持在SiC功率器件技术领域的领先地
https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57
日商air water inc.20日发布新闻稿宣布，已成功研发出可生产全球最大尺寸的“碳化矽(SiC)”基板量产技术，借由该技术所生产的SiC基板尺寸可达8寸(现行主流为4寸)。
https://www.alighting.cn/pingce/20130522/122098.htm2013/5/22 10:21:38
科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200v耐压功
https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55
3月5～8日，科锐在东京展出了发光效率高达208lm/w的白色led产品“cree xlamp mk-r”。
https://www.alighting.cn/pingce/20130312/121928.htm2013/3/12 9:28:12
硅衬底取得突破性进展，SiC衬底芯片光效快速提升，而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012，衬底也疯狂。新世纪led网评测室特对led衬底2012年三雄逐鹿天下的历
https://www.alighting.cn/pingce/20121230/123355.htm2012/12/30 17:15:32
美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆，此次开发的晶圆厚100μm，可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。
https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18
新1000系采用了削减耗电量的技术。其中具代表性的是前部标识灯(前灯)和车厢灯采用的led照明。东京metro称，地铁前灯采用led“尚属首次”。
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122144.htm2012/7/11 13:46:44
罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代SiC(silicon carbide：碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31
