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备一般不出售。1)ingaalp四元系ingaalp化合物半导体是制造红色和黄色超高亮度发光二极管的最佳材料,ingaalp外延片制造的led发光波段处在550～650nm之间,这
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
本；另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜,可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
在led芯片到制作成led小芯片之前就是是一张比较大的外延片，外延片是led芯片加工过程中的一种芯片材料，led外延片可以切割成led芯片，再经封装后，就得到日常所见到的le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221788.html2011/6/18 22:58:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221803.html2011/6/18 23:09:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和sic两种）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
能一次生产1片2英寸外延片,但其外延片质量很高。目前高档产品主要由这些设备生产,不过这些设备一般不出售。1)ingaalp四元系ingaalp化合物半导体是制造红色和黄色超高亮度发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜，可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶ga
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
资led外延片生产线项目，20%资金用于补充公司流动资金。德豪润达此次增发募集资金中42.8亿元用于投产led外延片生产线项目，其中固定资产投资39.8亿元，铺底流动资金3亿元。项
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/23/180208.html2011/5/23 22:52:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型gan层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gan层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
