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质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用led，以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件，现在共享与此，提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容：lain-aigan-gan,研究动机,材料的生长和表征;gan-ingan材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽gan模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
本文主要内容：氮氧化物荧光粉的开发情况、氮氧化物荧光粉的应用、结语。
https://www.alighting.cn/resource/2012/2/16/115049_60.htm2012/2/16 11:50:49
基于白光发光二极管技术的迅速发展以及荧光粉对白光led器件的发光效率、显色性和使用寿命等性能的决定性影响,系统阐述了蓝光led芯片激发用铝酸盐、硅酸盐、氮化物和氮氧化物系列黄色
https://www.alighting.cn/resource/20121222/126242.htm2012/12/22 18:05:07
薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress)，这种应力在led架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化镓和蓝宝石之
https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
附件为论坛嘉宾tjacomiddel的演讲内容《物联网下的照明行业》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20170621/151330.htm2017/6/21 16:52:19
