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led芯片的生产离不开镓铟等稀有金属，而无线通信又离不开锗硅等金属，随着智能led照明行业的兴起和发展，对于稀有金属的消费量有望逐步释放。
https://www.alighting.cn/news/2014128/n442867847.htm2014/12/8 13:42:30
日本电子材料/零件商tamura已中止研发使用氧化镓(gallium oxide)基板的led。
https://www.alighting.cn/news/20160114/136389.htm2016/1/14 9:36:53
半导体材料作为新材料发展重点之一，将以高纯度、大尺寸、低缺陷、高性能和低成本为主攻方向，逐步提高关键材料自给率。开发电子级多晶硅、大尺寸单晶硅、抛光片、外延片等材料，积极开发氮化
https://www.alighting.cn/news/20120228/99663.htm2012/2/28 14:18:57
针对led的散热问题，led产业的许多先进解决方案中，处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn)，该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾
https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00
乾照光电和武汉大学研究人员表示，他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率，可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此
https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05
担的“高亮度氮化镓基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科技项目给予2500.3万元的资
https://www.alighting.cn/news/20140731/111070.htm2014/7/31 9:11:20
巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(inGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
爱思强股份有限公司8月14日宣布，台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统，将用于在6英寸的硅基材上生长氮化镓外延结
https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41
scpm公司正在将GaN基板作为可实现高效率led芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用GaN基板。
https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09
bridgelux新近募集6000万美元，声明将攻关关键核心技术，如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术，以继续拓展其在固态照明市场中的地位。
https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54
