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未来5年氮化衬底引领led衬底发展潮流

料的氮化

  https://www.alighting.cn/news/2012513/n223539678.htm2012/5/13 21:13:55

晶能光电孙钱:硅基氮化大功率led的研发及产业化

在“2013新世纪led高峰论坛”技术峰会iii“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上,晶能光电(江西)有限公司硅基led研发副总裁孙钱博士就“硅基氮化大功率led的研发

  https://www.alighting.cn/news/20130610/88293.htm2013/6/10 14:48:59

英plessey公司获剑桥大学矽基氮化led的知识产权

plessey在英国plymouth拥有一家6英寸晶圆厂,并在近期收购了剑桥大学的一家衍生公司camGaN。通过这项交易,plessey获得了camGaN公司与矽基氮化

  https://www.alighting.cn/news/20120209/99826.htm2012/2/9 11:23:28

日本sdk公司扩基于氮化蓝光led芯片产量

showadenkok.k公司宣布将会在日本千叶的工厂投资接近4100万美元来扩大基于氮化蓝光led的生产力达到2亿个单位每月。蓝光led芯片的产量也将会在今年底从3000万

  https://www.alighting.cn/news/20070723/116626.htm2007/7/23 0:00:00

tae yeon seong:通过增强电流注入和传输来提高GaN基发光二极管性能

韩国高丽大学材料科学与工程系主任tae yeon seong 教授在题为《通过增强电流注入和传输来提高GaN基发光二极管性能》的报告中首先概括总结GaN基led的应用,然后详细介

  https://www.alighting.cn/news/20080801/104244.htm2008/8/1 0:00:00

中科院知识创新工程重要方向项目“氮化基激光器”通过验收

中国科学院知识创新工程重要方向项目“氮化基激光器 (kgcx2-sw-115)”于2007年11月26日通过专家验收。

  https://www.alighting.cn/news/20080102/102620.htm2008/1/2 0:00:00

台湾首例氮化铝投资 led成本降3成

台湾国立成功大学和金铝公司今天签约共同投资生产氮化铝,也是台湾第一个氮化铝产业;金铝公司表示,台湾氮化铝都是从外进口,自己产制后,氮化铝成本预计降低3成。

  https://www.alighting.cn/news/20091009/108314.htm2009/10/9 0:00:00

晶电控告广专利侵权案判决出炉,广胜诉

昨日,晶电(2448)控告广(8199)专利侵权案判决出炉!智财法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/20090922/105602.htm2009/9/22 0:00:00

日立电线生产出3英寸GaN衬底 商业化推广尚待研究

2007年4月24日,日立电线株式会社(hitachi cable)确认成功开发产制出直径3英寸的GaN衬底,对于led产业将有正面助益。

  https://www.alighting.cn/news/20070426/106320.htm2007/4/26 0:00:00

科锐与nexperia签署GaN功率器件专利授权协议

科锐宣布与荷兰nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,nexperia将有权使用科锐GaN氮化功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美

  https://www.alighting.cn/news/20180416/156413.htm2018/4/16 10:41:13

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