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比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓(GaN-on-si)功率器件和led的成本。
https://www.alighting.cn/news/20130905/111899.htm2013/9/5 9:35:43
欧司朗光电半导体德国总部项目经理 peter stauss 博士指出：“我们多年的研发投入终于有了回报：不仅成功地提升了硅基上氮化镓层的质量，产品的效能和亮度也极具竞争力。
https://www.alighting.cn/news/2012113/n121037049.htm2012/1/13 9:39:57
2月15日，中国科学院半导体所创新项目“氮化镓基倒装结构功率型半导体发光二极管(led)及关键技术”通过成果鉴定。
https://www.alighting.cn/news/200725/V136.htm2007/2/5 11:37:38
美国能源部(doe)下属能源转换机构arpa-e已经选定氮化镓对氮化镓(GaN-on-GaN)新成立公司soraa来引领GaN基质研发项目。
https://www.alighting.cn/news/2012810/n169042119.htm2012/8/10 11:43:37
日前，比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅
https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00
中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延GaN材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
计，其氮化镓晶圆发出了前所未有高水平，高效率的冷光，这意味着uhb - led也可适用于商用投影机和汽车大灯，甚至适用于混合动力汽车和电动汽车使用的功率器
https://www.alighting.cn/news/20111214/99660.htm2011/12/14 10:16:15
led照明技术及解决方案研发与制造厂商bridgelux近日宣布，利用独家缓冲层技术，成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，并且不会在室温下弯曲变形，除了刷新先前在业界创下“氮化
https://www.alighting.cn/news/20110816/115082.htm2011/8/16 10:07:56
近日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮
https://www.alighting.cn/news/2007724/V6183.htm2007/7/24 11:03:48
日前外媒报导，北卡罗莱纳州立大学发现了一种通过降低氮化镓薄薄膜中的2~3个数量级缺陷，来提高led发光材料的质量的新技术，研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2
https://www.alighting.cn/news/20110627/100654.htm2011/6/27 10:11:29
