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广中科新厂将引领高成长动能

led晶粒厂广(8199)受惠于整体接单产能延续满载状态,在下游客户存货盘点影响下,07年12月营收仍旧以2.09亿元续创历史新高,累计07年度总营收亦因此扩增至18.83亿

  https://www.alighting.cn/news/20080109/119657.htm2008/1/9 0:00:00

GaN同质衬底应用前景广阔技术有待提高

GaN为代表的iii-v族化合物及其三元、四元系材料因其良好的物理、化学性质被广泛的应用于光电和微电子器件,如照明和颜色显示的白光或彩色led,可用于信息存储和激印的蓝紫光激光

  https://www.alighting.cn/news/20090803/91211.htm2009/8/3 0:00:00

日本启动GaN开发项目,诺奖得主天野领军

日本文部科学省将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。相关负责人介绍说,“这是文科省的第一个电子元器件项目”。该项目的核

  https://www.alighting.cn/news/20160418/139483.htm2016/4/18 9:28:20

日立电线确认生产出3英寸GaN衬底

2007年4月24日,日立电线株式会社(hitachi cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20070425/117179.htm2007/4/25 0:00:00

日本开发出使led发光效率提高1倍的GaN晶圆

日本碍子称,开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透

  https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39

江苏常熟新研发led用氮化物荧光粉首输美国

2017年10月9日,一批经江苏常熟检验检疫局检验合格的led用氮化物荧光粉顺利通关,输往美国。这是常熟地区首次出口led用氮化物荧光粉,为出口生产企业新开发的产品,目前常熟地

  https://www.alighting.cn/news/20171011/153059.htm2017/10/11 9:49:31

led行业未来3年硅基 GaN专利战将全面打响

硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力,这会引起薄

  https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47

大阪大学试制出利用GaN系半导体的红色led组件

大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色led组件。利用GaN系半导体的蓝色led组件及绿色led组件现已达到实用水平,但试制出红

  https://www.alighting.cn/news/20090707/120831.htm2009/7/7 0:00:00

晶电控告广专利侵权案判决 广胜诉

9月21日,led芯片大厂晶电控告广专利侵权案判决出炉,法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/2009923/V21009.htm2009/9/23 10:08:53

广规划2010上半年送件申请上市

受惠外延片缺货订单满载,广计划在2010上半年送件申请上市,并认为只要对公司最有利的发展,未来策略联盟或并购都不排除。

  https://www.alighting.cn/news/20100428/117258.htm2010/4/28 0:00:00

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