检索首页
阿拉丁已为您找到约 44条相关结果 (用时 0.0203677 秒)

硅衬底灯饰led芯片主要制造工艺解析

目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂

  https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37

宽禁带半导体SiC和zno的外延生长及其掺杂的研究

作为第三代宽禁带半导体材料,SiC和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。SiC具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

科锐276 lm/w光效再度刷新功率型led研发记录

科锐日前宣布,其白光功率型led光效再度刷新行业最高纪录,达到276 lm/w。该项纪录打破了科锐在去年4月取得的254 lm/w研发成果。

  https://www.alighting.cn/2013/2/21 10:18:43

探究矽衬底gan基led技术与前景

目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽SiC、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓gan,中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石,而就全球范围来看,蓝宝石衬底的led市场份

  https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56

led衬底|基板(substrate)

料的led芯片,则使用蓝宝石、SiC和si等作为基板,如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片,则使用 gaas等作为基

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40

研究报告:中国led通用照明产业的现状及展望

本文从产品、营销、运营以及发展潜力四个方面对中国led 照明企业进行了竞争力分析。在产品竞争力上,中国led 照明产业产品线布局完善,在关键的光效指标、荧光粉专利以及上游的si

  https://www.alighting.cn/resource/2012/10/8/145159_98.htm2012/10/8 14:51:59

SiC外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸SiC外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

用氧化镓制造功率元件 与SiC相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

用氧化镓制造功率元件 与SiC相比成本低且性能出色[1]

SiC和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

中国led通用照明产业的现状及展望[研究报告]

本文从产品、营销、运营以及发展潜力四个方面对中国led 照明企业进行了竞争力分析。在产品竞争力上,中国led 照明产业产品线布局完善,在关键的光效指标、荧光粉专利以及上游的si

  https://www.alighting.cn/2012/2/14 15:11:31

首页 上一页 1 2 3 4 5 下一页