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1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：lightemittingdiode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/resource/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
1923 年，罗塞夫 (lossen.o.w) 在研究半导体 SiC 时有杂质的 p-n 结中有光发射，研制出了发光二极管 (led ： light emitting diod
https://www.alighting.cn/resource/20070123/128809.htm2007/1/23 0:00:00
半导体照明是一种基于半导体发光二极管新型光源的固态照明，是21世纪最具发展前景的高技术领域之一，已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。衬底作为半导体照明产业技术发展
https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
