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罗姆开发出世界首家可在高温条件下工作的压铸模类型SiC功率模块

日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向ev/hev车和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首

  https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122747.htm2011/11/18 16:21:16

罗姆实现业界最小的低vf SiC肖特基势垒二极管

罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代SiC(silicon carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31

罗姆与apei联合开发出高速、大电流的SiC沟槽mos模块

l(apei)公司联合开发出搭载了SiC沟槽mos的高速、大电流模块“apei ht2000”。该模块一改传统的si模块的设计,大幅改善了电气特性、机械特性,同时实现了超小型化、轻量化

  https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122662.htm2011/11/18 17:01:17

瑞萨电子推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件

瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功

  https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25

led、SiC功率半导体——铁路节电新利器

新1000系采用了削减耗电量的技术。其中具代表性的是前部标识灯(前灯)和车厢灯采用的led照明。东京metro称,地铁前灯采用led“尚属首次”。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122144.htm2012/7/11 13:46:44

科锐发布口径为6英寸的SiC底板

据了解,6英寸底板量产后,SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高,有助于削减制造成本,SiC功率元件的价格有望降低。目前,部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC

  https://www.alighting.cn/pingce/20100909/122986.htm2010/9/9 11:50:12

首尔半导体量产无封装晶圆级led芯片

韩国led芯片大厂首尔半导体15日宣布,领先竞争对手,成功研发并将量产晶圆级wicop led (wafer level integrated chip on pcb)。

  https://www.alighting.cn/pingce/20150916/132732.htm2015/9/16 17:05:47

tslc晶圆级led氮化铝基板封装独步台湾

台积电转投资led照明公司台湾半导体照明(tslc)以高功率led灯珠,独步台湾采用晶圆级led氮化铝基板封装制程,提供高性价比的解决方案。

  https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121665.htm2013/12/3 8:52:08

2012,衬底也疯狂

硅衬底取得突破性进展,SiC衬底芯片光效快速提升,而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012,衬底也疯狂。新世纪led网评测室特对led衬底2012年三雄逐鹿天下的历

  https://www.alighting.cn/pingce/20121230/123355.htm2012/12/30 17:15:32

科锐推出业界首款1.7kv全SiC功率模块

科锐在继今年5月份推出全SiC 1.2kv半桥式功率模块之后,宣布推出业界首款全SiC 1.7kv功率模块,采用业界标准62mm封装,继续保持在SiC功率器件技术领域的领先地

  https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57

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