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石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
全彩led显示屏通常是仰视的应用环境，上视角范围内的亮度没有被有效利用。本论文提出了一种将lamp器件上视角范围内的亮度，向下视角范围转移的设计方法。
https://www.alighting.cn/resource/20130814/125404.htm2013/8/14 10:46:58
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
全国各地政府大力支持led产业，带动了国内led产业的蓬勃发展，led企业更是求技术若渴，将技术领先作为企业发展的原动力，还把技术含金量作为产品推广的最重要的诉求点。此外，长远的技
https://www.alighting.cn/resource/20120618/126539.htm2012/6/18 10:05:31
led照明的黄金时代、中国是绿色照明市场的主战场、国内照明制造企业大致分布、照明产业区现状与分布、照明专业市场发展历程、世界照明灯饰生产基地转移路线图、案例：中山古镇灯饰一条街
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/14/112419_16.htm2012/6/14 11:24:19
技研究院亦在此领域着墨已久，目前有多款样机已经开发完成，并已进入技术转移阶
https://www.alighting.cn/resource/2012/5/7/115520_56.htm2012/5/7 11:55:20
为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300?? 中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
