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在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
在si衬底上生长了gan基led外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
实验结果表明,中间层的加入促进了发光层中电子和空穴的平衡并抑制了发光层之间的能量转移。加入适当厚度的中间层之后,器件的性能得到了明显的提升,相比于无中间层器件,最高电流效率由3
https://www.alighting.cn/2015/2/5 10:40:43
本文选用cbp 为主体材料,绿色磷光材料ir(ppy)3 为客体发光材料,对其高掺杂浓度下的器件机理进行了初步分析。
https://www.alighting.cn/2015/3/17 10:56:36
全国各地政府大力支持led产业，带动了国内led产业的蓬勃发展，led企业更是求技术若渴，将技术领先作为企业发展的原动力，还把技术含金量作为产品推广的最重要的诉求点。此外，长远的技
https://www.alighting.cn/resource/20120618/126539.htm2012/6/18 10:05:31
提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高gan基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构与制
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
目前led 器件已达到的光效为150lm/w,与理论预测的指标300lm/w 还存着在很大的差距,光效仍有很大的提升空间。
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124484.htm2014/6/27 11:03:45
太阳能是地球上最直接最普遍也是最清洁的能源，太阳能作为一种巨量可再生能源，每天达到地球表面的辐射能大约等于2.5亿万桶石油，可以说是取之不尽、用之不竭。led的光谱几乎全部集中
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/18/102833_54.htm2013/12/18 10:28:33
