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如何使led部件的散热性能有效提升

热辐射散热法的优点是,在机壳密闭而且很薄、热量无法通过对流转移的情况下,可以释放出热量。一些技术人员很早以前就知道这种优点,但充分利用的先例少之又少。不过,最近采用热辐射散

  https://www.alighting.cn/resource/20150317/123457.htm2015/3/17 11:35:40

基于ir(ppy)3载流子直接复合发光的oled机理研究

本文选用cbp 为主体材料,绿色磷光材料ir(ppy)3 为客体发光材料,对其高掺杂浓度下的器件机理进行了初步分析。

  https://www.alighting.cn/2015/3/17 10:56:36

转移基板材质对si衬底gan基led芯片性能的影响

在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。

  https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36

中间层对白色全磷光有机电致发光器件性能的影响

实验结果表明,中间层的加入促进了发光层中电子和空穴的平衡并抑制了发光层之间的能量转移。加入适当厚度的中间层之后,器件的性能得到了明显的提升,相比于无中间层器件,最高电流效率由3

  https://www.alighting.cn/2015/2/5 10:40:43

半导体行业2015年年度投资策略(1)

6月份《国家集成电路产业发展推进纲要》出台,10月份半导体产业扶持基金正式挂牌,行业内整合并购如火如荼。在国家政策扶持及整个半导体产业链逐渐由台韩向大陆转移的背景下,我们持续看

  https://www.alighting.cn/2015/1/20 14:28:00

不同基板1 w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led 器件,并对其老化特性进

  https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34

基于不同衬底材料高出光效率led芯片研究进展

提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高gan基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构与制

  https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38

基于不同衬底材料高出光效率led芯片研究进展

目前led 器件已达到的光效为150lm/w,与理论预测的指标300lm/w 还存着在很大的差距,光效仍有很大的提升空间。

  https://www.alighting.cn/resource/20140627/124484.htm2014/6/27 11:03:45

基于不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

近几年来,硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点,在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。

  https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55

太阳能led照明原理与技术详析

太阳能是地球上最直接最普遍也是最清洁的能源,太阳能作为一种巨量可再生能源,每天达到地球表面的辐射能大约等于2.5亿万桶石油,可以说是取之不尽、用之不竭。led的光谱几乎全部集中

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/18/102833_54.htm2013/12/18 10:28:33

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