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研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得GaN 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
在si衬底上生长了GaN基led外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法，系统研究了不同应力作用下GaN的电子结构和光学性质，对比分析了外压调制对GaN的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123550.htm2015/3/2 11:45:19
测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的GaN 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
对inGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化，发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小，绿光led到6小时隧穿电流最小。
https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34
本文采用高温固相法合成sr2si5n8:eu2+荧光粉。在原有工艺的基础上，采用优化合成工艺以及掺杂微量元素等方式，有效的提升了荧光粉的初始性能和应用性能。
https://www.alighting.cn/2015/2/28 11:27:15
对GaN基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究，GaN基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高，但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00
