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r device)关键材料最新研发成果，依功率元件的应用功率，分别展出矽(si)、氮化镓(gan)及碳化矽(SiC)产
https://www.alighting.cn/news/20160406/138825.htm2016/4/6 9:55:18
制作led芯片，衬底的选用是首要问题。蓝宝石(al2o3)，碳化硅(SiC)，硅(si)为目前最常用的三种衬底材料，三者呈鼎足之势。
https://www.alighting.cn/news/20160108/136210.htm2016/1/8 13:54:53
近年，以氮化镓(gan)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，中国也不例外地快马加鞭进行部署。
https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21
随着半导体材料及器件工艺的进步，特别是mocvd 等外延工艺的日益成熟，至20 世纪90 年代初，日本与美国的两家公司通过mocvd 技术分别在蓝宝石与SiC 衬底上生长成功了具
https://www.alighting.cn/news/20151127/134539.htm2015/11/27 10:23:31
2015年11月16日-21日，rohm亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(elexcon 2015)”。在本次展会上展出了rohm所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化
https://www.alighting.cn/news/20151124/134436.htm2015/11/24 18:52:50
科锐（nasdaq: cree）于日前正式商业化量产基于sc5技术平台的超大功率xlamp xhp50 led器件和xlamp xhp70 led器件。科锐开创性的技术将帮助推动新
https://www.alighting.cn/news/20150112/110289.htm2015/1/12 10:47:18
第一代半导体材料si点燃了信息产业发展的“星星之火”，而si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群，促使英特尔等世界半导体巨头的诞生，95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路
https://www.alighting.cn/news/20150107/97170.htm2015/1/7 9:33:17
据ibm的研究人员发现石墨烯材料能大幅降低采用氮化镓(gan)制造的蓝光led成本。跟昂贵的SiC或蓝宝石晶圆片、且只能单次使用以长出gan薄膜的传统方式相比，这种新方法的成本效
https://www.alighting.cn/news/20141202/86567.htm2014/12/2 9:37:18
2014年10月28日，科锐(nasdaq: cree)宣布继续扩展其屡获殊荣的SiC 1.2kv六单元(six-pack)功率模块系列，推出新型20a全SiC模块，作为5-1
https://www.alighting.cn/news/20141028/110520.htm2014/10/28 9:27:52
科锐（nasdaq: cree）宣布c2m系列1200v / 80m? SiC mosfet被日本sanix公司采用，应用在其新型9.9kw三相太阳能逆变器的设计之中，以用于日
https://www.alighting.cn/news/20140929/110574.htm2014/9/29 9:54:28
