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led芯片大厂美国cree公司在14-15日在日经电子和日经微器件共同举办的led技术研讨会2007上，介绍了在SiC底板上形成的蓝色led的开发状况，并展示了开发中的蓝色le
https://www.alighting.cn/news/20070620/105925.htm2007/6/20 0:00:00
美国cree公司在2007年6月14～15日“日经电子”和“日经微器件”共同举办的“led技术研讨会2007”上，介绍了SiC底板上形成的蓝色led的开发状况。
https://www.alighting.cn/news/20070620/121161.htm2007/6/20 0:00:00
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的SiC衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(gan)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
2007年5月23日，cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00
山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶；2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平。
https://www.alighting.cn/news/2007516/V5083.htm2007/5/16 16:06:33
1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：light emitting diode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/news/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
2006年8月22日，虽然基于 gan 或 alingap 的红、蓝光led(蓝宝石、SiC 和gaas衬底)已取得重大进步，但绿光led的发展步伐却显得跟不上时代，导致了照明
https://www.alighting.cn/news/20060829/102265.htm2006/8/29 0:00:00
cree，semisouth 和crystal is三家化合物半导体公司从美国商务部争取到七百余万美元的项目资金，准备启动汽车用SiC功率模块﹑固体照明用高亮度led和aln衬
https://www.alighting.cn/news/20041206/103373.htm2004/12/6 0:00:00
