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movpe生长1.3μm无致冷algainas/inp应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18

不同in组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱的表面光伏谱

本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126127.htm2013/1/23 10:46:23

in_(0.2)ga_(0.8)as/gaas单量子阱pl谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53

湿法表面粗化提高倒装algainp led外量子效率

明,在20ma注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80

  https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27

张家雨:量子点在照明和显示上的应用

  https://www.alighting.cn/resource/20190624/163258.htm2019/6/24 17:48:47

液晶终极进化,量子屏qled技术深度解析(上)

过去10年,液晶技术成为显示领域的唯一主宰,未来10年,被誉为次时代显示技术的oled(organic light emitting diode,有机发光二极管)理应取缔液晶技术,

  https://www.alighting.cn/resource/20150209/123612.htm2015/2/9 11:42:57

提高led内量子与电光转换效率的原理分析

在led的pn结上施加正向电压时,pn结会有电流经过,电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子。

  https://www.alighting.cn/resource/20130217/126063.htm2013/2/17 13:54:15

led的内量子效率与电光效率原理及计算

在led的pn结上施加正向电压时,pn结会有电流流过。电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子,然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子,由于led的pn结作为杂质半导体,存在着材料

  https://www.alighting.cn/2011/11/18 16:34:31

量子点荧光材料在led中的应用

附件为论坛嘉宾的演讲内容《量子点荧光材料在led中的应用》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20160617/141269.htm2016/6/17 13:53:17

【led术语】量子阱(quantum well)

利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低,因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中,量子阱构造用于放射光的活性层。

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46

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