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ingan_gan多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性

分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19

led芯片的技术发展状况

随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极

  https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29

led光输出结构研究的进展

对于高效照明用led,发光效率是其最重要的参数。目前,led的内量子效率可达到99%以上,主要瓶颈是外量子效率。为了解决这个制约发展的问题,许多新颖的解决方案被提出,尽管大多数

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12302.htm2007/2/8 10:28:35

大功率led效率特性分析与驱动方案设计

本文考察了大功率led 量子效率衰落问题的研究进展并检测和比较了当前市场不同产品的大功率led性能,随着led 效率电流特性的逐渐改善,其最高效率所对应驱动电流开始超过额定电流。

  https://www.alighting.cn/2014/10/23 11:25:52

【led术语】压电电场(piezoelectric fields)

根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。是导致以ingan等gan类半导体为发光层的蓝色led和绿色led的外部量子效率降低的原因之一。

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128317.htm2010/8/17 15:38:38

[研发故事] 率先让蓝色led发光的赤崎和天野(下)

构蓝色led。“1992年利用algan和gan双异质结(dh)二极管,实现了外部量子效率为1.5%的蓝色和紫色led,外部量子效率超过1%就达到了实用水

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13

ucsb等发表利用非极性面的led以及半导体激光器

led方面,发表了利用非极性面中的m面的蓝色led(演讲序号:t2)。如果将阱层厚8nm、势垒层厚18nm的量子阱的发光层进行6次层迭(即形成6层),20ma驱动时,光输出功率

  https://www.alighting.cn/resource/20071003/128538.htm2007/10/3 0:00:00

半导体照明发光二极管的芯片制造技术及相关物理问题

以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明正引发人类照明史上的又一次伟大革命.目前,局限半导体照明广泛应用的主要技术瓶颈有:出光效率(或外量子效率),单管最大可发光通量(或最大

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1063.htm2010/1/18 14:18:53

白光led光效的分析

分蓝光光子则量子下转换为黄光,所以白光led 光源输出蓝、黄光混合的准白

  https://www.alighting.cn/resource/2013/3/20/164753_30.htm2013/3/20 16:47:53

插入电荷控制层对蓝色oled发光性能的提高

通常的量子阱结构是由势垒层和势阱层构成。势垒层一般具有较高的lumo 能级以及较低的homo能级, 载流子经过势垒层后会被限制在势阱层中,从而使载流子在势阱层(即发光层) 中有效

  https://www.alighting.cn/2015/1/20 10:28:54

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