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提高led外量子效率的研究进展

文章简述了提高外量子效率的集中有效途径,如便面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射出结构、激光剥离技术,纳米压印与su8胶相结合技术、光

  https://www.alighting.cn/2014/12/22 13:37:39

提高led外量子效率的研究进展

色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(dbr)结构、激

  https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22

日本研制出超导发光二极管发光强度是现有led的20倍

日本北海道大学末宗几夫教授领导的研究小组成功开发出实现“量子通信”必不可少的超导发光二极管。

  https://www.alighting.cn/resource/20080122/128582.htm2008/1/22 0:00:00

具有三角形ingan/gan 多量子阱的高内量子效率的蓝光led

研究结果表明,对于传统结构的led 而言,2 个量子阱的结构相对于5 个和7 个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的led,研究结果显示,三角形多量子阱结

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18

半导体照明led封装技术与可靠性

一份由深圳市量子光电子有限公司的裴小明/技术总监所整理主讲的关于《半导体照明led封装技术与可靠性》的讲义资料,现在分享给大家,欢迎大家下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/resource/20130417/125708.htm2013/4/17 14:54:21

提升led内量子与电光转换效率之原理解析

提高内量子效率要从led的制造材料、pn结外延生长工艺以及led发光层的出光方式上加以研究才可能提高led的nint,这方面经过科技界的不懈努力,已有显着提高,从早期的百分之几

  https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27

东京都市大学制作出嵌入锗量子点的硅基led

东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件,并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激

  https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00

灯光设计 亮你的思想(ppt)

阿拉丁照明网携手鼎辉照明,于5月22日在深圳举办“lightingyourideas——2009年顶级设计师沙龙暨鼎辉照明商洽会”。

  https://www.alighting.cn/resource/2009526/V863.htm2009/5/26 10:59:06

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对led芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的外量子效率,从

  https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46

图形化衬底led芯片的技术研究

基led外延片(其主要结构包括:n-gan、量子阱和p-gan)。通过这种方式可以实现一次性生长具有不同结构的量子

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30

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