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光ingan led在高工作电流下创输出功率新高，且同时具有41%的外量子效率（eq
https://www.alighting.cn/resource/20070508/128492.htm2007/5/8 0:00:00
德国欧司朗光电半导体（osram opto semiconductors gmbh）开发出了外部量子效率高达68％的led技术。该公司表示，新产品适用于采用rgb led的投影
https://www.alighting.cn/resource/20100427/128772.htm2010/4/27 0:00:00
技术描述：奈米粒子或量子点会增加电子态密度(density of state)，因而增加材料的发光效率。这些小尺寸的发光奈米粒子可用化学的方法形成奈米胶体粒子均匀分散在溶剂中，或
https://www.alighting.cn/resource/20060522/128933.htm2006/5/22 0:00:00
到不断改进。通过对晶体生长的各种实验测定了最佳的器件参数。用这个生产线生产的led器件的外部量子效率到目前为止是世界上最高的，双异质结(dh)结构的效率值达21
https://www.alighting.cn/resource/20091228/V22368.htm2009/12/28 15:27:58
本文主要阐述了algainp led和gan led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状，介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法，如芯片塑形、表面粗化
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
并设计实验测量纹波电流对led光效的实际影响。根据led的droop效应，载流子溢出使led外量子效率下降，是纹波电流使led光效下降的物理机
https://www.alighting.cn/2014/1/8 14:11:10
pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少gan外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
镓 gan)会因基材(如刚玉 al2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2)，这些缺陷限制了内部量子效应(internal quantum efficiency)的发
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光峰的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
