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高光效、长寿命、低价格是白光led进入普通照明必过的叁关，提高芯片的内外量子效率、高技巧封装结构的设计及工艺、提高yag：ce3+的光转换效率是当前直面的叁题，认真研究粉体的相结
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128059.htm2011/2/11 10:26:04
需经过芯片(chip)本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界(空气)。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40%的输入电能转化为光能，其余60
https://www.alighting.cn/2013/10/16 10:26:01
小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(eqe)比老化前低;老化前后eqe衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
果表明,大功率led 的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机
https://www.alighting.cn/resource/20060801/128938.htm2006/8/1 0:00:00
面金属反射镜与量子阱层的间距对led出光效率的影响,并采用f-p干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
