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c碳化硅独家合作伙伴。fast的目标旨在推进共同合作，比以往更为快速地实施技术创新，并且更有效率地、更有效果地实现全球汽车项
https://www.alighting.cn/news/20190515/161911.htm2019/5/15 9:51:03
近日，我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道，该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水
https://www.alighting.cn/news/20150708/130791.htm2015/7/8 10:04:07
如今，SiC、蓝宝石、硅这三种不同的衬底技术路线，哪种在成本和性能上更具优势？如果越来越多的公司开始量产硅衬底，是否会对SiC与蓝宝石这两种技术路线形成冲击?不同的技术路线，国
https://www.alighting.cn/news/20120516/89190.htm2012/5/16 9:49:09
科锐（cree, inc.，美国纳斯达克上市代码：cree）与意法半导体（stmicroelectronics，美国纽约证券交易所上市代码：stm）宣布扩大并延伸现有多年长期碳化
https://www.alighting.cn/news/20191120/165184.htm2019/11/20 9:26:34
2015年11月16日-21日，rohm亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(elexcon 2015)”。在本次展会上展出了rohm所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化
https://www.alighting.cn/news/20151124/134436.htm2015/11/24 18:52:50
美国cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口
https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00
碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅mosfet器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅mosfet器件可实现更高的系统效率及更
https://www.alighting.cn/news/2013320/n847049790.htm2013/3/20 9:48:13
9月23日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化硅（SiC）技术全球领先企业的科锐宣布计划在美国东海岸创建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。
https://www.alighting.cn/news/20190924/164226.htm2019/9/24 13:33:07
不久前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。
https://www.alighting.cn/news/20150113/81743.htm2015/1/13 10:39:01
led照明技术及解决方案研发与制造厂商bridgelux近日宣布，利用独家缓冲层技术，成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，并且不会在室温下弯曲变形，除了刷新先前在业界创下“氮化
https://www.alighting.cn/news/20110816/115082.htm2011/8/16 10:07:56
