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在led行业中，我国自主创新的硅衬底led技术被誉为继碳化硅(SiC)led技术、蓝宝石衬底led技术之外的第三条技术路线，其打破了日本和欧美led厂商形成的牢固的专利壁垒，拥
https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20
2007年5月23日，cree宣布在SiC技术开发上又出现了一座新里程碑-4英寸(100mm)零微管(zmp)n型SiC衬底。
https://www.alighting.cn/news/20070524/120729.htm2007/5/24 0:00:00
近日从杭州湾新区管委会获悉，新区与中国电子信息产业集团有限公司全资子公司——华大半导体有限公司完成宽禁带半导体材料项目签约。项目总投资10.5亿元，计划年产8万片4吋至6吋碳化硅
https://www.alighting.cn/news/20191217/165693.htm2019/12/17 9:49:57
按照该协议的规定，在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间，cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元的cree先进150mm碳化硅裸晶圆和外延晶圆。
https://www.alighting.cn/news/20190122/160087.htm2019/1/22 10:40:02
据了解，6英寸底板量产后，SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高，有助于削减制造成本，SiC功率元件的价格有望降低。目前，部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC二
https://www.alighting.cn/news/20100909/120844.htm2010/9/9 0:00:00
滨田指出，因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限，所以对SiC充满期待。滨田提到了SiC制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例，如果使用SiC制功率元件，
https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31
日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“icscrm 2011”上公布了正在研发的SiC制bjt(bipolar junction transistor)的最新成
https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49
成都硅宝，有机硅材料供应商
https://www.alighting.cn/news/20200415/168000.html2020/4/15 17:47:57
美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋，约150mm的SiC底板，6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2，主要用于led、高频元件及功率半导体元件。
https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00
普瑞(bridgelux)公司在三月份的公告中称，它已成功的使用八英寸硅片，使元件达到135 流明每瓦，在实验室中采用八英寸硅氮化镓的led的发光效率已接近生长在蓝宝石或碳化硅晶
https://www.alighting.cn/news/2011812/n068533843.htm2011/8/12 8:32:35
