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石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,P型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12
通过本报告的分析，可以看出中村修二先生在蓝光led、半导体照明及其他氮化物半导体材料器件上引领着技术的发展方向，做出了一系列关键性的贡献，被誉为“蓝光之父”。因此，掌握中村修二教授
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:03:09
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和P衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到P衬底中而结合成siPn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
2013年4月25日，国家标准化管理委员会在其官方发展上发布了《关于下达等48项国家标准制修订项目计划的通知》，《通知》全文如下
https://www.alighting.cn/2013/4/28 9:51:40
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、P掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、P掺杂分别得到n、P
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的ⅱ型inas/gasb超晶格材料,在77k下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同P层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了P层厚度即P
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
led 是个光电器件，其工作过程中只有15%～25%的电能转换成光能，其余的电能几乎都转换成热能，使led的温度升高。在大功率led 中，散热是个大问题。
https://www.alighting.cn/resource/20130314/125887.htm2013/3/14 11:55:41
n 基蓝光led 制程的关键技术如金属有机物气相外延, P 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
