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日亚与osram宣布将扩大智慧财产合作

日亚化学工业株式会社与osram gmbh前于2002年及2010年已缔结专利交互授权协议,双方均可将授权专利应用于各自之氮化物半导体产品,例如蓝、绿与白色led及激光元件。

  https://www.alighting.cn/news/20180321/155767.htm2018/3/21 9:59:11

松下研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管

2018年2月23日,松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管,可以连续稳定的工作,阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度,可以进一

  https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54

最新研究:inGaN量子井在led的局限性

氮化(inGaN)是蓝光led的关键材料,最近有国际研究团队发表有关氮化薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制,该研究在今年一月刊载于期刊《physica

  https://www.alighting.cn/news/20180223/155245.htm2018/2/23 14:43:04

allos推新型硅基氮化外延片产品,具有超过1400v的击穿电压

来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29

国际研究:inGaN量子井在led的局限性

氮化(inGaN)是蓝光led的关键材料,最近有国际研究团队发表有关氮化薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制,该研究在今年一月刊载于期刊《physica

  https://www.alighting.cn/news/20180125/154979.htm2018/1/25 10:46:22

研究发现加入硼可解决led发光效率下降现象

密西根研究团队11月发表最新研究,发现将化学元素硼(boron)加入氮化 (inGaN) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大,解决发光效率随

  https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13

sslchina2017&ifws2017即将开幕 七大开幕报告重磅来袭

半导体照明是一场成功的技术革命,是第三代半导体材料(GaN)产业化应用的突破口,已经在照明产业的变革中确立了主导地位。随着绿色、低碳、可持续发展的需求,全球半导体照明产业进入新一

  https://www.alighting.cn/news/20171025/153292.htm2017/10/25 10:30:13

江苏常熟新研发led用氮化物荧光粉首输美国

2017年10月9日,一批经江苏常熟检验检疫局检验合格的led用氮化物荧光粉顺利通关,输往美国。这是常熟地区首次出口led用氮化物荧光粉,为出口生产企业新开发的产品,目前常熟地

  https://www.alighting.cn/news/20171011/153059.htm2017/10/11 9:49:31

美研发出单片集成三色led,未来将包含更多颜色组合

基于氮化技术和现有的制造设施,应变工程可以为微显示器提供一种可行的方法。

  https://www.alighting.cn/pingce/20170919/152804.htm2017/9/19 9:53:06

隐患犹在,国内led企业如何赢得专利攻防战?

最近行业有关专利的新闻有点多,英特美继续寻求对三菱氮化物红粉专利无效的审查,亿光和首尔半导体也积极发起专利保卫战。虽然目前专利战火还未延烧至大陆led市场,但国内led企业专利隐

  https://www.alighting.cn/news/20170616/151206.htm2017/6/16 10:28:58

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