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GaN基高压交流110v-led芯片——2019神灯奖申报技术

GaN基高压交流110v-led芯片,为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37

晶电、环宇-ky结盟 携手抢攻人脸识别及5g市场

y合作。消息称,环宇-ky将现金入股晶电旗下晶成半导体,并取得16.4%股权,成为仅次于晶电的第二大股东,双方初期将专注氮化的制程与客户,也会就vcsel代工进行合作,以抢攻手机人

  https://www.alighting.cn/news/20190125/160188.htm2019/1/25 10:10:54

日亚与三企共有红色荧光体led技术在美获准专利权

昨(16)日,日本led厂日亚化学(nichia corp)表示,日亚与西铁城电子、三菱化学、日本国立研究开发法人物质与材料研究机构(nims)所共有的氮化物系红色荧光体led相

  https://www.alighting.cn/news/20181017/158701.htm2018/10/17 10:28:52

最新研发的氧化mosfet耐压超过1800v

纽约州立大学布法罗分校(university at buffalo) 宣布研制出击穿电压超过1800v的β-ga2o3 mosfet [ke zeng et al, ieee el

  https://www.alighting.cn/pingce/20180906/158309.htm2018/9/6 11:00:16

micro led:晶能光电硅衬底GaN基技术的又一重大应用机会

因具有超高解析度,高色彩饱和度,纳秒级响应时间以及低功耗等优点,micro led成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国际大

  https://www.alighting.cn/news/20180823/158156.htm2018/8/23 9:41:53

saphlux成功点亮半极性绿光led芯片,2d显示技术将迎来重大变革

西安赛富乐斯半导体科技有限公司在实现大尺寸、无层错半极性氮化材料量产的基础上,成功点亮了半极性绿光led芯片这一最新科研成果。

  https://www.alighting.cn/news/20180712/157620.htm2018/7/12 9:53:07

韩国kaist研发用于f-vled的低成本转移方法

队开发了一种用于在塑料上制造数千个蓝色氮化(GaN)micro led(厚度2μm)阵列的一次性转移方

  https://www.alighting.cn/news/20180620/157271.htm2018/6/20 9:32:48

pida:台湾地区led元件或转向车用、mini led等利基产品

GaN hemt等光电半导体产

  https://www.alighting.cn/news/20180517/156890.htm2018/5/17 10:16:59

科锐与nexperia签署GaN功率器件专利授权协议

科锐宣布与荷兰nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,nexperia将有权使用科锐GaN氮化功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美

  https://www.alighting.cn/news/20180416/156413.htm2018/4/16 10:41:13

三安/欧司朗/华灿不断扩张 led将出现产能过剩

在过去的两年中,氮化led晶元和芯片盈余一直较小。产能利用率一直很高,但在需求不确定和价格下跌的环境下,供应商不愿再做进一步投资。

  https://www.alighting.cn/news/20180403/156235.htm2018/4/3 10:17:16

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