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国星光电:国星半导体已申请200多篇氮化专利

近日,国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示,硅基algan垂直结构近紫外大功率led外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-led显示与超高亮

  https://www.alighting.cn/news/20200226/166729.htm2020/2/26 10:53:56

台积电携手意法半导体,合作加速氮化产品商用化

日前,台积电宣布,与意法半导体合作加速市场采用氮化产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。

  https://www.alighting.cn/news/20200224/166681.htm2020/2/24 14:20:11

新发现:新型衬底pssa可显著提高alGaN uv led的效率

y,pssa)是一种新型衬底,采用此衬底可大幅提高铟氮化、铝氮化(inGaN/alGaN)uv led的效

  https://www.alighting.cn/news/20200115/166190.htm2020/1/15 9:42:43

士兰微厦门12英寸芯片产线封顶、化合物半导体产线试产

12月23日上午,厦门士兰集科微电子有限公司封顶仪式及厦门士兰明化合物半导体有限公司投产仪式正式举行。

  https://www.alighting.cn/news/20191226/165884.htm2019/12/26 9:44:01

乾照光电与武汉大学共同开发硅基高功率GaN led

乾照光电和武汉大学研究人员表示,他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率,可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此

  https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05

11月,国内外第三代半导体产业进程加速

2019年11月,国际第三代半导体产业链上、中游各大企业继续发力,上游龙头企业扩产进程加速,大力发展与应用端的合作, 共同推动第三代半导体尤其是新能源汽车领域的发展,同时传统的半导

  https://www.alighting.cn/news/20191209/165518.htm2019/12/9 11:13:56

西安电子科技大学研制出柔性紫光led

西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制,创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管,相关研究成果在国际权威期刊《advanced optica

  https://www.alighting.cn/news/20191204/165453.htm2019/12/4 9:23:46

西电郝跃院士团队研制出柔性高亮度紫光led

西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制,创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管,相关研究成果在国际权威期刊《advanced optica

  https://www.alighting.cn/news/20191202/165428.htm2019/12/2 10:56:00

英国kubos半导体将推出大规模制造绿色led的工艺

据rebecca pool报道,kubos半导体公司利用其立方GaN外延技术,打算很快推出大规模制造绿色led的工艺。

  https://www.alighting.cn/news/20191128/165369.htm2019/11/28 9:38:13

总投资15亿!辽宁氮化半导体材料项目开工建设

据辽宁盘锦高新技术产业开发区报道,近日,辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化项目正式开工建设,这距离该项目10月4日落户盘锦高新区还不足一个月时间。

  https://www.alighting.cn/news/20191111/164987.htm2019/11/11 9:18:30

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