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一般来说，led外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
https://www.alighting.cn/2014/9/28 9:50:24
研究了不同能量的电子束辐照对 GaN 基发光二极管(light emitting diode，led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对 GaN 基 le
https://www.alighting.cn/resource/20140926/124256.htm2014/9/26 11:56:32
透过提高效率来减少功耗具有多项优势，首先，最明显的好处是降低运营成本;同时，更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度，那么无线业者在因
https://www.alighting.cn/resource/20140915/124307.htm2014/9/15 10:17:12
https://www.alighting.cn/2014/8/28 11:07:01
igzo为铟镓锌氧化物的缩写，非晶igzo材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。amoled是有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板，amoled具有反应速度较快
https://www.alighting.cn/2014/8/18 11:03:46
正装结构和垂直结构的芯片是GaN与荧光粉和硅胶接触，而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。GaN的折射率约为2.4，蓝宝石折射率为1.8，荧光粉折射率为1.
https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48
https://www.alighting.cn/2014/7/28 10:33:22
术(metalbonding)，将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能
https://www.alighting.cn/resource/20140716/124444.htm2014/7/16 9:52:01
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟GaN基倒装led芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在GaN基led中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
