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据外媒报道，武汉大学研究者开发出了在蓝宝石衬底上生长高质量ain（氮化铝）薄膜的方法。
https://www.alighting.cn/news/20200424/168528.htm2020/4/24 9:35:47
近日，国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示，硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率led外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-led显示与超
https://www.alighting.cn/news/20200226/166729.htm2020/2/26 10:53:56
据compound semiconductor报道，国际研究团队指出，具有二氧化硅阵列的图案化蓝宝石（patterned sapphire with silica array，ps
https://www.alighting.cn/news/20200115/166190.htm2020/1/15 9:42:43
y enhanced ultraviolet luminescence of AlGaN wavy quantum well structures grown on larg
https://www.alighting.cn/news/20191204/165456.htm2019/12/4 9:27:41
中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组和中国科学院宁波材料所郭炜和叶继春课题组发现，为了提升紫外led的iqe数值，可以通过AlGaN材料生长的衬底--蓝宝石，也就是al
https://www.alighting.cn/news/20191123/165251.htm2019/11/23 13:54:48
据报道，基于铝镓氮(AlGaN)的深紫外led因在杀菌消毒、水净化、光疗和不依赖太阳光的高速光通信领域的潜在应用而备受研究者的关注。
https://www.alighting.cn/news/20190715/163506.htm2019/7/15 9:57:55
国星光电发布公告宣布其牵头承担的“硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率led外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-led显示与超高亮度微显示技术研究”项目获
https://www.alighting.cn/news/20190711/163479.htm2019/7/11 9:45:29
研究人员以渐变折射率分布限制结构层(grinsch)装置，制作出奈米级grinsch二极体，研究人员期望未来能应用在奈米高效能uv led装置，像是激光、光感测器、调幅器以及积体光
https://www.alighting.cn/news/20180727/157806.htm2018/7/27 8:58:52
基于AlGaN的uv led由于存在较低的内部量子效率、低撷取效率、低掺杂效率、极化电场大以及差排密度外延高等缺点，限制了uv led的高功率应用...
https://www.alighting.cn/pingce/20170217/148247.htm2017/2/17 10:22:52
本文提出利用hrxrd 倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态，这对AlGaN 材料的mocvd 外延生长具有重要的指导意义。
https://www.alighting.cn/2014/12/3 11:50:29
