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利用mocvd系统在al2o3衬底上生长InGaN材料和InGaN/gan量子阱结构材料。研究发现,InGaN材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
vishay日前宣布推出新系列超亮白光smd led，这些器件采用高效的InGaN技术，可在0603的占位面积上实现出色的亮度。
https://www.alighting.cn/news/20070519/120664.htm2007/5/19 0:00:00
本文档为台湾新世纪InGaN led chips (10×10) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127378.htm2011/7/28 17:31:47
质的InGaN，并首次使用这一材料制造出最高品质的蓝、绿光led，实现着一个又一个的第一
https://www.alighting.cn/resource/20070903/128523.htm2007/9/3 0:00:00
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的led在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN是组成白、蓝、绿色和紫外光led活跃层的必要物质。
https://www.alighting.cn/news/20090227/103771.htm2009/2/27 0:00:00
日前，vishay intertechnology, inc.(威世)宣布推出基于蓝宝石(sapphire)的新系列高强度蓝光smd led，这些器件以低于标准InGaN蓝光le
https://www.alighting.cn/news/20070622/117695.htm2007/6/22 0:00:00
本文档为台湾新世纪InGaN led chips (14×14) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127375.htm2011/7/28 18:11:58
目前应用于蓝光led、dvd雷射上的InGaN，因为没有适合结晶的基板，所以与gaas等传统的led材料相比，存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题，例如不完全结晶、有缺损等
https://www.alighting.cn/resource/20061009/128941.htm2006/10/9 0:00:00
日前，英国microled公司plessey发布新闻稿称，宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光led。
https://www.alighting.cn/news/20191209/165507.htm2019/12/9 9:29:51
13日，欧司朗光电半导体发布新闻稿表示，成功研发直接发光绿色氮化铟镓(InGaN) 激光，该款激光的光输出高达 50 mw，发射波长为 515 nm 的真绿光线。与目前采用倍频技
https://www.alighting.cn/news/20090817/119772.htm2009/8/17 0:00:00
