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用高压贴片电容和大容量贴片电容 1kv 100P 1206封装 1kv 221 1206封装 1kv 102 1206封装 1kv 222 1206封装 1kv 472 1206封
http://blog.alighting.cn/s415998493/archive/2011/6/27/227838.html2011/6/27 10:37:00
m采用误差放大器反馈输出的方式调节脉宽。在有一定负载情况下,开关频率取决于n管开启时间tn和P管开启时间tP。 其中tPㄒkP/(vout-vin);tnㄑkn/vin 在轻负载
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229870.html2011/7/17 22:49:00
样的方法在蓝光gan-led上迭放一层alingaP半 导体复合物,也生成了白光。led晶圆制程衬底结构设计缓冲层生长n型gan层生长多量子阱发光层生长P型gan层生长退火检测(光荧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
至适当温度的gaas衬底基片上,气态物质in,ga,al,P有控制的输送到gaas衬底表面,生长出具有特定组分,特定厚度,特定电学和光学参数的半导体薄膜外延材料。iii族与v族的源物
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
→窗口图形光刻→sio2腐蚀→去胶→n极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
底杂质浓度。若生长温度降低,则外延层的载流子浓度也随之下降；提高as/ga比,则有可能引起材料的导电类型从P型转向n型。(3)、金属有机物和ash3的纯度反应物质的纯度将严重地限制
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
加正向工作电压vd时,驱使价带中的空穴穿过Pn结进入n型区、同时驱动导带中的电子越过Pn结进入P型区,在结的附近多余的载流子会发生复合,在复合过程中发光、从而把电能转换为光能。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00
端开关除了负载和晶体管交换位置，这个电路与前面的完全相同。图2e中显示的开关就位于“高端”。我们还把fet从n通道变成P通道。n通道fet要求vgs5v以完全导通：在本拓扑中，n通
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230337.html2011/7/20 0:14:00
由单片机从缓冲区取出第一行需要显示的20字节点阵数据，再由列点阵数据输入端P1．2口按位依次串行输入至列移位寄存器，其数据输入的顺序与显示内容的顺序相反。然后置行点阵选通端P1．3
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230506.html2011/7/20 23:23:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230507.html2011/7/20 23:24:00
