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led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led显示屏动态显示和远程监控的实现

由单片机从缓冲区取出第一行需要显示的20字节点阵数据,再由列点阵数据输入端P1.2口按位依次串行输入至列移位寄存器,其数据输入的顺序与显示内容的顺序相反。然后置行点阵选通端P1.3

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262648.html2012/1/29 0:35:32

led显示屏动态显示和远程监控的实现

由单片机从缓冲区取出第一行需要显示的20字节点阵数据,再由列点阵数据输入端P1.2口按位依次串行输入至列移位寄存器,其数据输入的顺序与显示内容的顺序相反。然后置行点阵选通端P1.3

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262652.html2012/1/29 0:35:47

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led光源的研制和市场动态

趣和重视。  要 具 体 分析led科研进展,我们可先回顾一下半导体工业的发展历史。人们一般将si,g e称为第一代电子材料,而将gaas,in P,g aP,in as,a la

  http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led照明与功率因数之间的关系研究

视在功率”,视在功率s包括有功功率P和无功功率q两个分量。其中有功功率P=s*cosф,无功功率q=s*sinф。只有当功率因数cosф值等于最大值1即ф=0°时,无功分量q才等于

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268599.html2012/3/17 14:20:39

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led显示屏动态显示和远程监控的实现

由单片机从缓冲区取出第一行需要显示的20字节点阵数据,再由列点阵数据输入端P1.2口按位依次串行输入至列移位寄存器,其数据输入的顺序与显示内容的顺序相反。然后置行点阵选通端P1.3

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271750.html2012/4/10 23:30:57

led显示屏动态显示和远程监控的实现

由单片机从缓冲区取出第一行需要显示的20字节点阵数据,再由列点阵数据输入端P1.2口按位依次串行输入至列移位寄存器,其数据输入的顺序与显示内容的顺序相反。然后置行点阵选通端P1.3

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271754.html2012/4/10 23:31:19

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