站内搜索
时,最好使用电阻来减少连接数量并降低复杂度。电荷泵的主要缺点在于其效率。开关和电容器的数量决定了电荷泵的乘数N。此比例通常为1.5 或2。下列简单的方程给出了理想效率的算法: 实
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229865.html2011/7/17 22:47:00
荐使用需要浮动栅极驱动的N通道场效应晶体管(fet)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。 图1还显示了备选的降压稳压器(buck#2)。在
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229885.html2011/7/17 22:55:00
1 led 驱动半导体发光二极管的特点 发光二极管和普通二极管一样是一种用半导体材料制作的p / N 结器件,除了能发光之外,其他特性和普通二极管相似。发光二极管主要有两个特
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229919.html2011/7/17 23:13:00
为二元素发光管。而目前最新的氧程是用混合铝(al)、钙(ca) 、??(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料氧造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
法简单地将分立器件的封装用于led。led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯,当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外光或近红外光。但pN结
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
质分别为tmga、tega、tmiN、tmal、ph3与ash3。通过掺si或掺 te以及掺mg或掺zN生长N型与p型薄膜材料。对于iNgaalp薄膜材料生长,所选用的iii族元
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
及 技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于led。led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯,当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外 光或
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
部的电缆引入孔引进灯腔内,根据灯具内接线座上标明的极性接好电缆线(火线接“l”位,零线接“N”位,地线接到接地位),接好线后用电线压片压紧电缆线。 3、blc9600道路灯将灯杆插
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230061.html2011/7/18 16:14:00
上标明的极性接好电线:火线接“l”位,零线接“N”位,地线接到接地位。5、Nsc9730防眩通路灯合上电气箱盖,将三颗螺钉拧紧,再将电缆线另一端接通220v电源即可照明。 四、Ns
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230063.html2011/7/18 16:16:00
体,常温下的电阻率大于1011ω?;cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件;通常只在外延层上表面制作N型和p型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00