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0 Nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3）倒装芯片技术 algaiNN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的p电极和N电极只能制备在外延表面的同一
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
动mosfet。从性价比的角度来说，推荐使用需要浮动栅极驱动的N通道场效应晶体管(fet)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。 图1还显
http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/8/20/233233.html2011/8/20 9:22:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
此led驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1, if恒流在15-1400ma。led灯具使用的led光源有小功率(if=15-20ma)和大功率(if200ma))二种，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258510.html2011/12/19 10:57:08
镓(ga)铟(iN)磷(p)氮(N)锶(ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、led晶片的分类 1、按发光亮度分： a、一般亮度：r﹑h﹑g﹑y﹑e等 b、高亮度：vg﹑vy
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258521.html2011/12/19 10:58:03
前最新的製程是用混合铝(al)、钙(ca) 、銦(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。发光强度：发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258572.html2011/12/19 11:01:04
子发射产生可见光。 （一）led的发展历史应用半导体p·N结发光源原理制成led问世于20世纪60年代初，1964年首先出现红色发光二极管，之后出现黄色led。直到1994年蓝色
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258649.html2011/12/19 11:10:56
4------+vf N i总=单颗led的if值 2． 并联:这种电路需要电源能提供较高的电流. v总=单颗led的vf 值 i总=各led的if之和=if1+if2+if3+if
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258655.html2011/12/19 11:11:16
http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258859.html2011/12/20 15:57:25
http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258864.html2011/12/20 15:57:41
