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N b” 和 “N b a”

对哥哥们的敬仰之情!力拔山兮气盖世,时不利兮骓不逝…”“好诗啊,真是好诗,五哥好文采,五哥真N,准确的说是Nb!”老六拍着桌子大声说。现场的气氛被老六顿时给带动起来了,纷纷敬酒,纷

  http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/20/128188.html2011/1/20 14:23:00

深度分析:led照明的中国机会与挑战

能公司送来的一批(100只)硅衬底1mm×1mm功率型芯片进行了测试,测试结果令人振奋,350ma下,峰值波长450Nm,辐射功率在350mw以上,为国产功率芯片的最高水平。“这是我

  http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/19/128066.html2011/1/19 15:18:00

22个常见问题

极数?答:(1)根据《建筑物防雷设计规范》gb50057-94(2000年版)第6.4.5条中的图6.4.5-2之注:“当采用tN-c-s或tN-s系统时,在N与pe线连接处电涌保

  http://blog.alighting.cn/quhua777847/archive/2011/1/18/127917.html2011/1/18 7:34:00

[原创]普及普拉提“盲点” 完美身材不“沦陷”

动的发展和演化进程中一直起着重要作用,荣·弗莱彻(r0N f]etcher)直接向约瑟夫拜师学艺,他和罗雷尔·爱斯阔维斯(raeisak)至今活跃在普拉提教学界中。 盲点二:普拉提是

  http://blog.alighting.cn/wenglingjuan/archive/2011/1/17/127746.html2011/1/17 10:54:00

2011年第十届沙特(利雅得)国际电子通讯展

仪等、 电子元件、组件、配件 【上届回顾】 2010年展会沙特国际电子展共吸引了来自18个国家350家参展商,5天展会期间共吸引85989名观众,他们分别来自新加坡,巴林,约

  http://blog.alighting.cn/kang1987/archive/2011/1/13/127218.html2011/1/13 13:15:00

浅谈led产生有色光的方法

d,被称为二元素发光管。而目前最新的制程是用混合铝(al)、钙(ca) 、铟(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料制造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00

基于si衬底的功率型gaN基led制造技术

技部项目验收。   si衬底led芯片制造   1.1技术路线   在si衬底上生长gaN,制作led蓝光芯片。   工艺流程:在si衬底上生长alN缓冲层→生长N型gaN

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

简述大功率led在号志灯中的应用

led是一种场致发光光源,其发光原理是在p-N结两端加上正向电压,则p区中空穴会流向N区。而N区中的电子会流向p区。随着少数载流子和多数载流子的复合放出能量,其中一部分能量转化为

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127040.html2011/1/12 16:43:00

led灯具损坏常见原因及保护方案2

科lvr系列产品用于交流led照明系统的过流、过温降电流保护。   泰科电子针对led照明应用开发了一款polyswitch产品。该产品在环境温度65℃下可以保证350ma电流正

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127027.html2011/1/12 16:37:00

led芯片的制造工艺流程简介

明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p 极图形光刻→镀膜→剥

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00

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