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o3和si3N4,或复合缓冲层；如alN/3c-sic,alN/gaN/alN等等。alN缓冲层是目前较为普遍使用的缓冲层技术之一。liaw等人报道了采用转化的 sic膜加氮化铝复
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
0lp/500、fo350ms/sp和cut1000/vertex2,是专为支持微型元器件的大规模生产而设计的领先的铣削和放电加工技术，我们是拥有能助你成功的优秀解决方案的最佳伙
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126989.html2011/1/12 0:32:00
年led节能灯产值有望突破800亿元，实现产值翻倍。 广东去年led灯具产业的产值是390亿元，占了全国近50%.而今年上半年已经超过了350亿元，同比增长了80%.然而，在去
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126988.html2011/1/12 0:31:00
能上，可以考虑在15~18平方米照明用灯光在60~80瓦；30~40平方米在100~150瓦；40~50平方米在220~280瓦；60~70平方米在300~350瓦；75~80平方
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126906.html2011/1/11 0:44:00
术突破日期提前2010年2月6日，美国led芯片制造商cree公司在宣布其白光大功率led芯片光效突破208lm/w。该测试是在350ma电流和标准测试环境下进行的，相关色温
http://blog.alighting.cn/renjian/archive/2011/1/10/126836.html2011/1/10 13:44:00
片的透明电极(ito、ruo2、zNo及Nio)表面做成光子晶体结构，其方法为：首先在倒装焊芯片的透明电极表面贴一层保护膜层，如光刻胶pr， 二氧化硅sio2，氮化硅 si3N4
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
中之处会产生热点，使晶格缺陷范围延伸，led的亮度就会随缺陷扩大而递减。为了延长led的寿命，输入的电流必须降低（如350 ma），单位面积的发光亮度就受到了限制。 led电流转
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
用具有自己知识产权的倒装技术生产的大功率芯片取得了重大突破，经检测，55mil芯片在电压2.95v，电流350ma状态下，取得了光通量134.4lm，光效也达到130lm/w。可
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00
光强和正向电流的关系。 图1. xlampxp-g的输出相对光强和正向电流的关系 由图中可知，假如以350ma时的光输出作为100%，那么200ma时的光输出就大约是6
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/1/6/126260.html2011/1/6 10:18:00
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究，这种管型基元led结构是将N个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上，通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/6/101442_72.htm2011/1/6 10:14:42
