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罗姆推出多款新一代功率器件SiC产品

罗姆根据公司四大发展战略即“led战略”“功率器件战略”“相乘战略”“传感器战略”,设置了多个展区,展示了众多包含罗姆先进技术且符合中国市场需求的产品。

  https://www.alighting.cn/news/20111118/114217.htm2011/11/18 16:49:18

罗姆开发出世界首家可在高温条件下工作的压铸模类型SiC功率模块

日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向ev/hev车和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首

  https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122747.htm2011/11/18 16:21:16

日本知名半导体制造商罗姆推出多款新品

此次,以备受关注的新一代功率器件SiC产品为首,罗姆重点展示了在中国市场具有良好发展前景的led·智能手机·汽车·新能源等领域的先进产品,充分显现了罗姆的卓越技术。

  https://www.alighting.cn/news/20111117/n394435806.htm2011/11/17 13:40:23

SiC缓冲层对si表面生长的zno薄膜结构和光电性能的改善

电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12

si(001)衬底上apcvd生长3c-SiC薄膜的微孪晶及含量

利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c SiC进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c SiC外延生长于si衬

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15

京都大学公布SiC制bjt最新成果

日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“icscrm 2011”上公布了正在研发的SiC制bjt(bipolar junction transistor)的最新成

  https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49

SiC基板厂商纷纷开发6英寸产品

很多SiC基板厂商已转向开发6英寸产品。口径增至6英寸,虽然能够提高SiC制功率元件的生产效率,但结晶缺陷增加会导致成品率降低。因此,能否在保持现行4英寸产品的结晶品质下实现6英

  https://www.alighting.cn/news/20110921/100107.htm2011/9/21 9:27:56

评测SiC等大电流功率模块封装材料的产学合作项目取得最新进展

评测SiC等大电流功率模块封装材料的产学合作项目“kamome-pj”有两大目的:一是试制水冷式SiC功率模块。据介绍,采用由康奈可(calsonic kansei)设计的铝压

  https://www.alighting.cn/news/20110914/100259.htm2011/9/14 10:31:46

led常识

夫(lossewo。w。)在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p-n结中的光发射,但利用半导体的p-n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来,由

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233112.html2011/8/20 0:04:00

led芯片降价空间大 可通过三种途径

样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00

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