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早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00
形，n型欧姆接触区为梳状形，这样可以减小电阻。第四步，将带有金属化凸点的a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用SiC衬底制造a
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
m。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
寸体单晶生长极为困难，现在所有成熟的器件都是以蓝宝石或SiC异质衬底为基础的。但从晶格匹配和电导、热导特性上看，蓝宝石还不是理想的异质外延衬底，而SiC衬底与gan之间虽然晶格失
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、SiC和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
长在蓝宝石或SiC衬底上，但是这两种衬底部都比较昂贵，尤其是碳化硅，而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点，人们在用硅作衬底生长gan方面一直不断地进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
.也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 c）点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00
