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目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国cree公司垄断了SiC衬底上gan基led专利技术。因此，研发其他衬底上的gan基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。
https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22
科锐(cree)公司其市场优势来源于其独有的采用SiC(碳化硅)衬底生长gan(氮化镓)技术，科锐的led芯片产品在高端市场上具有很强的竞争力。其高技术水平(高发光效率)引领行
https://www.alighting.cn/news/20100603/120646.htm2010/6/3 0:00:00
則會成磊晶層彎曲或破裂，使發光二極體晶粒製程不易切割或曝光，造成產品良率下降。 目前發光二極體常用的基板有gaas基板、gap基板、藍寶石(sapphire)基板及碳化矽(si
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/ 瓦，发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。9
http://blog.alighting.cn/ledwgzm/archive/2010/5/11/43817.html2010/5/11 15:32:00
2,cree著名led芯片制造商,美国公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)
http://blog.alighting.cn/nanker/archive/2010/3/3/34775.html2010/3/3 10:35:00
值。 科锐的市场优势关键来源于公司在有氮化镓（gan）的碳化硅（SiC）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/3/1/34577.html2010/3/1 13:10:00
全球八大led芯片制造商 1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34476.html2010/2/27 14:14:00
合led、大功率高亮度led，导热系数为：25.8 剪切强度为：14.7，为行业之最。 led芯片至封装体的热传导：采用胶体来把热量传导出去，对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电
http://blog.alighting.cn/ufuture/archive/2009/12/19/21822.html2009/12/19 11:59:00
明的需求分析,在以下技术领域将最有可能取得突破,带动产业进入又一波发展高潮。 mocvd设备工业化；高质量、低成本的SiC单晶生长；蓝宝石衬底上外延紫外led ；si衬
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
