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外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
cree，semisouth 和crystal is三家化合物半导体公司从美国商务部争取到七百余万美元的项目资金，准备启动汽车用SiC功率模块﹑固体照明用高亮度led和aln衬
https://www.alighting.cn/news/20041206/103373.htm2004/12/6 0:00:00
