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明的需求分析,在以下技术领域将最有可能取得突破,带动产业进入又一波发展高潮。 mocvd设备工业化；高质量、低成本的SiC单晶生长；蓝宝石衬底上外延紫外led ；si衬
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
近几年人们制造led晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（gan）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气h2或氩气ar等惰性气体作为载体之
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21194.htm2009/10/14 21:04:09
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC，si)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21193.htm2009/10/14 20:44:55
著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)
https://www.alighting.cn/news/20090324/117058.htm2009/3/24 0:00:00
g)技术直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋转涂布法将半导体纳米晶体或荧光粉等荧光材料填入凹槽中，在凹槽间形成一个凸面桥，这个方法可以让白光led变得更
https://www.alighting.cn/resource/20081229/128651.htm2008/12/29 0:00:00
早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
https://www.alighting.cn/resource/20081127/128639.htm2008/11/27 0:00:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、si）上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00
d。 1923年科学家罗塞夫（lossewo.w.）发现半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体p－n结电致发光原理制成发光二极管是在60年代后期得以迅速发
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9226.html2008/10/30 17:51:00
美国大型SiC底板厂商科锐（cree）在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议（ecscrm）”上，以“defect control in si
https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00
