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GaN led市场照明份额将在2016年提升28%

GaN led市场中,照明的份额预计会从2011年的21%升为2016年的49%;照明led收入预计增长超过300%。

  https://www.alighting.cn/news/201221/n074637204.htm2012/2/1 9:55:47

ngk(日本)开发出GaN衬底的uhb - led

近日,日本公司ngk insulators发布了新的用于电子设备应用的超高亮度(uhb )led,基于液相外延生长技术,超高亮度(uhb )led实现了其创新功能。 据 ngk估计

  https://www.alighting.cn/news/20111214/99660.htm2011/12/14 10:16:15

非晶玻璃衬底GaN leds 问世

近日,三星尖端技术研究所和首尔大学宣布开发出了第一个由非晶玻璃衬底制造的发光二极管。

  https://www.alighting.cn/news/20111212/99724.htm2011/12/12 15:30:51

用于替换led蓝宝石基板的钼(mo)基板及钼铜(mocu)基板将被导入

通过用于替换嵌入led结构的蓝宝石基板的mo基板或mocu基板,可提高led芯片的散热性能,而且有助于实现led芯片的高功率化及高效率化。据介绍,目前从事厂商正在讨论导入该产品。

  https://www.alighting.cn/news/20111205/99751.htm2011/12/5 16:54:01

张国义:led研发之路 十年磨一剑

张国义与半导体照明产业间的缘分还得从一种神奇的物质“氮化镓”材料说起。氮化镓单晶体,人们目前为止还没有发现有天然GaN晶体材料存在,它必须在实验室才能获得,作为一种直接带隙材料,

  https://www.alighting.cn/news/20111123/85634.htm2011/11/23 14:17:08

ims research:mocvd出货量近2年半内首次出现同比下滑

出货量下降的原因可以归结为氮化镓基led的应用市场疲软、led芯片供大于求、信贷紧缩以及中国补贴政策的取消等方面。而令人振奋的是,用于硅衬底GaN基led外延片制备的mocvd设

  https://www.alighting.cn/news/20111123/114479.htm2011/11/23 13:46:03

我国led产业上游环节发展提速

led外延作为led产业链的核心环节,从2009年开始,在中国下游应用市场高速发展的带动下,中国GaN mocvd数量开始爆发性增长,使得中国led外延产业得到快速发展。2010

  https://www.alighting.cn/news/20111121/n384835887.htm2011/11/21 11:31:27

三菱化学有望2013年度量产白色led用GaN基板

报道指出,三菱化学目前已着手于水岛事业所内导入大型长晶设备,并在确保拥有月产1,000万片(以2寸基板换算)的产能之后,将追加导入大型长晶设备正式进行量产,之后并计划于2015年度

  https://www.alighting.cn/news/20111121/114216.htm2011/11/21 9:08:51

我国led产业上游环节发展提速

led外延作为led产业链的核心环节,从2009年开始,在中国下游应用市场高速发展的带动下,中国GaN mocvd数量开始爆发性增长,使得中国led外延产业得到快速发展。

  https://www.alighting.cn/news/20111117/n550635801.htm2011/11/17 10:35:44

硅衬底led照明暂未发现物理瓶颈

当然GaN与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题,很容易出现龟裂现象,要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为,硅衬

  https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23

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