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led蓝宝石衬底研磨三部曲

led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”,这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂抹

  https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39

现代mocvd技术的发展与展望

mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流

  https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34

将sic外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

佛山市国星光电股份有限公司关于向控股子公司提供委托贷款的公告

佛山市国星半导体技术有限公司(以下简称“国星半导体”)为佛山市国星光电股份有限公司(以下简称“国星光电”或“公司”)的控股子公司,因其发展需要,公司拟向国星半导体提供3 亿元的委托

  https://www.alighting.cn/2012/8/21 11:59:27

澳洋顺昌led外延片及芯片产业化项目可行性研究报告

江苏澳洋顺昌光电技术有限公司(暂定名,以工商核准名称为准),由江苏澳洋顺昌金属材料股份有限公司和江苏鼎顺创业投资有限公司合资设立,注册资本2.5亿元人民币,其中,江苏澳洋顺昌金属材

  https://www.alighting.cn/2012/8/21 11:29:31

led外延片基础知识

  https://www.alighting.cn/resource/2012/6/19/165436_92.htm2012/6/19 16:54:36

图形化衬底上外延结构的形态演化

本文采用相场数值模拟研究了图形化衬底上外延形态演化及其可调控性。发现通过在衬底表面预制合适的图形,改变外延层表面初始的应变分布,从而有效控制外延层表面的形态演变路径,可以获得高

  https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:52:41

mocvd反应器中瞬态热流场的数值研究

在mocvd 反应器中外延异质结构的材料时,用来生长晶体的各组份和掺杂剂,都是以气态方式进入反应器的;该系统通过周期性地切换各种反应气体控制其流入量,在衬底上外延出特定组份、特

  https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:29:55

图形化衬底(pss)刻蚀设备工艺研究进展

图形化衬底(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷,在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质,使得很难进行刻蚀和图形化制作。

  https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31

图形化衬底led芯片的技术研究

本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30

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