检索首页
阿拉丁已为您找到约 293条相关结果 (用时 0.0208289 秒)

led芯片的技术发展状况

随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极

  https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29

led外延片及芯片产品的质量控制

半导体照明产业是一个新兴产业,尤其是其上游led外延及芯片制造产业在中国更是近几年才迅猛发展起来,各led外延及芯片制造企业都是在企业发展的过程中,逐步探索质量控制的途径和方法。

  https://www.alighting.cn/2013/3/4 11:41:44

gan同质外延和竖直结构大功率led

北京大学的张国义整理的关于《gan同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料,分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48

高亮度led外延片及芯片及封装技术项目可行性研究报告

2013 版用于发改委立项高亮度led 外延片及芯片及封装技术项目可行性研究报告(全程辅助+专家答疑)审查要求及编制方案,仅供参考。

  https://www.alighting.cn/2013/2/25 11:44:13

外延生长|磊晶(epitaxial growth)

在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的l

  https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51

zno的用途及其薄膜的制备方法

阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原

  https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19

pss衬底(patterned sapphire substrate)

pss最近受到热捧,pps的衬底可以有效减少gan外延材料的位元错密度,从而减小有源区的非辐射复合,提升内量子效率,减小反向漏电流,提高led的寿命;另一方面有源区发出的光,

  https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08

si基外延gan中缺陷的腐蚀研究

本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降

  https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08

2013年led产业发展五大趋势

led产业对大陆厂商而言,已告别高毛利时代,如何保持和扩大自身获利,是厂商眼前的问题。整体而言,「竞争与合作、降价与提升企业利润」将是2013年大陆led产业发展的主旋律;而产业链

  https://www.alighting.cn/resource/20130107/126199.htm2013/1/7 9:34:28

led照明应重视高附加值产业链

led照明产业目前面临严重的产能过剩、同质化竞争、低价竞争的恶性循环的危机,led产业链亟待发展。因此,研发出新型、时尚、高照明质量的led照明灯具将是今后研究的重大课题,具有较高

  https://www.alighting.cn/2012/12/30 10:45:17

首页 上一页 11 12 13 14 15 16 17 18 下一页