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d照明的需要正疾速晋升，给有关的稀有金属资料需要带来无穷机缘。led的中心资料是镓(GA)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光资料。当前，根据宽禁带半导体资料氮化
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28
心形成了许多视线连接点以及开放的界面。 基地面积: 11, 235 m2 占地面积: 7,090 m2 总建筑面积: 110, 530.73 m2 建筑覆盖率: 63.3
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2013/7/20/321527.html2013/7/20 20:58:34
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2013/7/20/321521.html2013/7/20 20:58:33
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2013/7/20/321474.html2013/7/20 20:58:23
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属GA薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个GA薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2013/5/23/317809.html2013/5/23 15:50:18
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3GA0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GAn,p型层为0.15μm的mg掺杂GAn。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
粉及其制备技术 针对高显色白光led封装需要，通过lu、GA双掺杂蓝移yag:ce发射光谱开发出铝酸盐绿色及黄绿色荧光粉，特别是开发了贵重稀土元素lu的减量化使用技术和GA元素减
http://blog.alighting.cn/zhuangweidong/archive/2013/4/24/315478.html2013/4/24 20:39:57
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备GA、p掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过GA、p掺杂分别得到n、p
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
、GA双掺杂蓝移yag:ce发射光谱开发出铝酸盐绿色及黄绿色荧光粉，特别是开发了贵重稀土元素lu的减量化使用技术和GA元素减量挥发焙烧技术。形成2款短波段荧光粉产品并批量销售。
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/15/314456.html2013/4/15 10:38:28
