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为甲基或乙基化合物,如：GA(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,GA(c2h5)3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如：GA(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,GA(c2h5)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,GA,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
用的材料是砷(as)化??(GA) ,其正向pn结压降(vf,可以理解为点亮或工作电压)为1.424v,发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(p)化??(GA),其正向pn
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,GA,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
用的材料是砷(as)化镓(GA) ，其正向pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(p)化镓(GA)，其正向pn
http://blog.alighting.cn/nonuea12/archive/2011/4/19/166205.html2011/4/19 21:26:00
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GAn类led元件，预计该元件及氧化镓(GA2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12
日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GAn类led元件，预计该元件及氧化镓(GA2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/2011329/n797930941.htm2011/3/29 19:08:31
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GAn类led元件，预计该元件及氧化镓(GA2o3)基板可在2011年度末上市。该led元件与以前使用蓝宝石基板的le
https://www.alighting.cn/news/20110329/100897.htm2011/3/29 17:46:25
0a6sn1123-1aa00-0GA0simodrive611-a/d1axis120a6sn1123-1aa00-0ha0simodrive6111axis8a6sn1123-
http://blog.alighting.cn/huixian2010/archive/2011/3/17/143333.html2011/3/17 18:49:00
