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测量了不同阱宽in0.2GA0.8as/GAas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
1. 招标条件本招标项目 福州市三环路东北段b段道路工程（k21+240-k27+090）路灯照明工程 （项目名称）已由 福州市发展和改革委员会 （项目审批、核准或备案机关名称）
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/9/14/236306.html2011/9/14 9:27:44
镓(GA)铟(in)磷(p)氮(n)锶(ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、led晶片的分类 1、按发光亮度分： a、一般亮度：r﹑h﹑g﹑y﹑e等 b、高亮度：vg﹑vy
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233079.html2011/8/19 23:54:00
所使用的材料是砷（as）化镓（GA），其正向pn结压降（vf,可以理解为点亮或工作电压）为1.424v,发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷（p）化镓（GA），其正向p
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233064.html2011/8/19 23:50:00
砷(as)化鎵(GA) ，其正向pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(p)化鎵(GA)，其正向pn结压降为2
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00
2 mbembe是直接以GA的分子束作为GA源，以nh 3为n源，在衬底表面反应生成GAn。该方法可以在较低的温度下实现GAn的生长，有可能减少n的挥发，从而降低背景电子浓度。其生长反
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
成polaroon自我束缚状，加上in原子与GA原子的电气阴性度的差，尤其是in原子周围短距离型电位(potential)，有可能产生强大的正孔捕捉。类似上述的电子与正孔的挶限化，会在奈米以
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00
长是在高温下,通过tmGA分解出的GA与nh3的化学反应实现的,其可逆的反应方程式为：GA＋nh3=GAn＋3/2h2生长GAn需要一定的生长温度,且需要一定的nh3分压。人们通常采
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
d已经跨足到公众场合的号志应用,此为国内工地外围的交通方向指示灯,即是用hb led所组构成。附注３：alGAinp(磷化铝镓铟)也称为「四元发光材料」,即是以al、GA、in、p四
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
式： GA(ch3)3 +ph3= GAp+3ch
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
